PSD法による高濃度高移動度n型GaNの開発

DOI

上野耕平

東大生研
荒川靖章

東大生研
小林篤

東大生研
太田実雄

東大生研 JST-さきがけ
藤岡洋

東大生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Development of heavily doped high electron mobility n-type GaN by pulsed sputtering

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3383-3383, 2017-03-01

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390575661591728000
DOI

10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3383
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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