Evaluation of Semiconductors using Anomalous X-ray Scattering (2)
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- Miyano Munehiko
- Nichia Corporation
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- Kobayashi Yutaka
- Nichia Corporation
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- Kawamura Tomoaki
- Nichia Corporation
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- Okazaki Toshiyuki
- Nichia Corporation
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- Sakaki Atsushi
- Nichia Corporation
Bibliographic Information
- Other Title
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- X線異常散乱分光を用いた半導体材料評価(2)
Abstract
窒化物半導体 LED(Light emitting diode)の特性向上において、発光層である InGaN 層の局所構造を把握することは重要であり、このうち In 原子の局所構造の解析は蛍光 XAFS(X-ray absorption fine structure)法によって進められてきた。一方、InGaN 層中の Ga 原子は初期成長層である GaN バッファー層中の Ga 原子に起因する蛍光X線の影響が非常に大きく、通常の蛍光 XAFS 法で InGaN 層中の Ga 原子の XAFS 解析を行うことは困難であった。そこで今回 InGaN 層の Bragg 反射に対して DAFS(Diffraction anomalous fine structure)法を適用することにより、InGaN 層中の Ga 原子の単独での局所構造解析を試みたので報告する。
Journal
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- SPring-8/SACLA Research Report
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SPring-8/SACLA Research Report 11 (1), 85-90, 2023-02-28
Japan Synchrotron Radiation Research Institute
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390576734221671424
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- ISSN
- 21876886
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
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- Abstract License Flag
- Disallowed