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水素アニールにおけるボロンラテラルオートドープ効果
DOI
矢嶋 理子
富士電機
松本 悟史
富士電機
栗林 均
富士電機
今井 朋弘
富士電機
兒玉 奈緒子
富士電機
羽深 等
横国大
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2011.2 (0), 2354-2354, 2011-08-16
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
1a-M-1
半導体A(シリコン)
Siプロセス技術
Autodoping
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390579852780404480
DOI
10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_2354
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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