難加工材料に対するスラリーレス超音波援用電気化学機械研磨法の開発（第4報）

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  • 4インチSiCウエハに対する研磨パラメータの最適化

Abstract

<p>SiCは高性能パワーデバイス用材料として期待されているが，高硬度かつ化学的に不活性なため加工が極めて困難である．この難題を解決するため，我々は超音波を援用した電気化学機械研磨法（UAECMP）を開発している．こ本報では，4H-SiCのUAECMPにおける加工パラメータの最適化により，従来のECMPと比較して材料除去率が3.71μm/hから28.15μm/hまで向上した結果を報告する．</p>

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