書誌事項
- タイトル別名
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- Cryo-CMOS High-sensitivity Capacitance Meter for Scalable Gate-based Qubit Readout
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説明
<p>For scalable semiconductor-based quantum computer, integration of qubit, electrometer and readout circuit on CMOS platform needs to be explored. Here, for qubit readout, the use of charge-based capacitance measurement (CBCM) is proposed to detect the atto-farad change in the gate input capacitance of single-electron transistor (SET) electrometer. Mixed SET-CMOS circuit simulation revealed that a few hundred microvolts signal appeared at the integration capacitance at 1MHz data rate and the gate capacitance profile with respect to the gate voltage was successfully reproduced.</p>
収録刊行物
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- 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌)
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電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) 145 (3), 386-390, 2025-03-01
一般社団法人 電気学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390584870600376832
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- ISSN
- 13488155
- 03854221
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- Crossref
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可