-
- 廣瀬 文彦
- 山形大学 大学院理工学研究科
書誌事項
- タイトル別名
-
- Room-temperature atomic layer deposition and its application
- シツオン ゲンシソウ タイセキホウ ト ソノ オウヨウ
この論文をさがす
抄録
<p>原子層堆積法(ALD)の室温化研究について紹介する.ALDの室温化を阻む要因を探るため,有機金属ガスの酸化物表面への吸着のその場観察を試みた.多くの有機金属ガスは,表面のヒドロキシル基を吸着サイトとすることで,室温で吸着する.吸着表面を酸化しながら,ヒドロキシル基を表面に形成する方法として,加湿アルゴン(Ar)をプラズマ励起したガスを酸化剤とすることで,室温堆積を実証した.本プロセスは,室温製膜に加え,3次元形状に陰ひなたなく均一に製膜できる.本稿では,シリカ,アルミナの室温ALD事例を紹介するとともに,その応用として,防触,PETボトルコート,ガスバリヤについて説明する.</p>
収録刊行物
-
- 応用物理
-
応用物理 86 (9), 796-800, 2017-09-10
公益社団法人 応用物理学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390845702285125120
-
- NII論文ID
- 130007715566
-
- NII書誌ID
- AN00026679
-
- ISSN
- 21882290
- 03698009
-
- NDL書誌ID
- 028541827
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可