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- 杉村 陽
- 甲南大学 理工学部物理学科 量子ナノテクノロジー研究所
書誌事項
- タイトル別名
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- Preparation of silicon nanocrystallites by pulsed laser ablation
- パルス レーザー アブレーション ニ ヨル シリコン ナノ ケッショウ セイセイ
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抄録
<p>パルスレーザーアブレーション法を用いたシリコンナノ結晶作製について行ってきた研究を紹介する.反応性ガスである水素雰囲気中でシリコンのパルスレーザーアブレーションを行ったとき,表面が水素で覆われた安定なシリコンナノ結晶が得られることが明らかになった.これは,ナノ結晶生成過程において,SiとHの反応の時期とSi微粒子の成長時期に時間差があることがその一因であると考えられる.その後安定なナノ結晶が凝集することにより,ナノ結晶同士が直接結合した多様な量子ドット凝集体が得られる.この系は,多彩な光学特性や電子物性を示す舞台になると期待される.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 77 (2), 164-167, 2008-02-10
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845702285696000
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- NII論文ID
- 10021108599
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 9370738
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可