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- 舛岡 富士雄
- 日本ユニサンティスエレクトロニクス(株)
書誌事項
- タイトル別名
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- Invention, development and manufacture of flash memory
- フラッシュ メモリー ノ ハツメイ カラ カイハツ セイヒンカ マデ
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説明
<p>不揮発性メモリーとして広く使われていたハードディスク，フロッピーディスクおよび磁気テープを置き換える半導体メモリーとして，フラッシュメモリーの発明から商品化までの経過を述べる．フラッシュメモリーは，NOR型フラッシュメモリーとNAND型フラッシュメモリーがあり，それぞれのフラッシュメモリーの動作原理および特徴を述べる．NOR型フラッシュメモリーはNAND型フラッシュメモリーより高速読み出しが可能であり，NAND型フラッシュメモリーはNOR型フラッシュメモリーより書き換え回数が多く，1bit当たりのコストが安くできるため，広く磁気メモリーの置き換えに最適であることを述べる．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 78 (1), 43-52, 2009-01-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845702285710592
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- NII論文ID
- 10023996544
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 9773961
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可