ナノスケール MOS デバイスにおける界面物性の揺らぎ

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タイトル別名
  • Fluctuation of interface properties in nanoscale MOS devices
  • ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ--界面トラップ1個1個を検出して評価する
  • ナノスケール MOS デバイス ニ オケル カイメン ブッセイ ノ ユラギ カイメン トラップ 1コ 1コ オ ケンシュツ シテ ヒョウカ スル
  • −Characterization of individual interface traps−
  • −界面トラップ1個1個を検出して評価する−

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抄録

<p>MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors）における Random Telegraph Signal と 1/f 雑音およびチャージポンピング（CP）特性の物理的背景について概説し，ナノスケール MOSFET における界面物性揺らぎに関する著者らの最近の研究を紹介する．デバイス特性への界面物性揺らぎの影響を把握するためには，バンドギャップ内に存在する全トラップの電気的振る舞いを知る必要がある．本稿では，CP 特性に個々のデバイス固有の反転（蓄積）電圧印加時間依存性が現れることを示し，バンドギャップ内に存在する界面トラップの数とキャリア捕獲率の揺らぎを検出し評価できることを述べる．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 78 (9), 868-872, 2009-09-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (25)*注記

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