アトムトランジスタ

DOI Web Site 参考文献15件
  • 長谷川 剛
    (独)物質・材料研究機構　国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
  • 伊藤 弥生美
    (独)物質・材料研究機構　国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
  • 鶴岡 徹
    (独)物質・材料研究機構　国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
  • 青野 正和
    (独)物質・材料研究機構　国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

書誌事項

タイトル別名
  • Atom transistor

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説明

<p>アトムトランジスタは，ゲート電極から供給された金属イオンが絶縁体薄膜中を拡散し，ゲート電極に対向して設置されたソース・ドレイン電極間に伝導経路を形成することで動作する．絶縁体でオフ状態を，金属でオン状態を実現することから，極めて低いリーク電流特性と高いオンオフ比が得られる．用いるゲート電圧に依存して，揮発性動作と不揮発性動作の選択動作が可能であることもわかってきた．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 81 (1), 55-58, 2012-01-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (15)*注記

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