放射線による半導体デバイスへの影響

  • 大島 武
    (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

書誌事項

タイトル別名
  • Response of semiconductor devices to radiation
  • ホウシャセン ニ ヨル ハンドウタイ デバイス エ ノ エイキョウ

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抄録

<p>宇宙には電子,プロトン,重イオンといったさまざまな放射線が存在し,それら放射線により人工衛星などの宇宙機に用いられる半導体デバイスは,誤動作・破壊,特性劣化を示す.本稿では,宇宙の放射線環境について触れた後に,それら放射線によって半導体デバイスが具体的にどのような影響を受けるかについて,太陽電池と論理大規模集積回路(Large Scale Integration : LSI)の最近の研究成果を中心に紹介する.</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 81 (3), 216-219, 2012-03-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (16)*注記

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詳細情報

  • CRID
    1390845702285787008
  • NII論文ID
    10030158643
  • NII書誌ID
    AN00026679
  • DOI
    10.11470/oubutsu.81.3_216
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • NDL書誌ID
    023566313
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • NDL
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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