Ge-MOSFETの可能性と課題

DOI Web Site 参考文献42件
  • 鳥海 明
    東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Prospects and challenges of Ge device technology
  • Ge MOSFET ノ カノウセイ ト カダイ

この論文をさがす

抄録

<p>ポストSiデバイスの候補の一つとしてGeデバイスが注目されている．Geの移動度がSiよりも物性的に大きいという点はきわめて魅力的である．しかし，Geが使われる技術世代を考えるとゲート絶縁膜は高誘電率膜にならざるを得ない．一方，微細化素子におけるコンタクト抵抗の占める割合はますます高くなり，金属とGeのコンタクト特性制御はきわめて重要になっている．つまり，高誘電率絶縁膜／Ge，金属／Geの界面をいかに制御するかということが，Geデバイスの実現を考えるうえで最重要項目といえる．本稿では，この両界面に対してわれわれが最近行っている実験的検討結果を中心にして現状を議論する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 75 (12), 1453-1460, 2006-12-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (42)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ