書誌事項
- タイトル別名
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- Fabrication of high-quality nitride semiconductors by facet control technique
- 研究紹介 ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製
- ケンキュウ ショウカイ ファセット セイギョ ギジュツ ニ ヨル コウヒンシツ チッカブツ ハンドウタイ ノ サクセイ
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抄録
<p>窒化物半導体の転位密度の低減に，成長時におけるファセット制御が非常に重要である．GaNの有機金属気相成長(MOVPE)では，選択成長の結晶形態は成長温度，成長圧力などにより制御できる．ファセット構造を制御しながら選択横方向成長(ELO)を行うFACELOにより，106 cm-2台まで転位密度の低減が可能となった．また，高いAlNモル分率で低転位密度AlGaN膜を作製するため，凹凸のあるエピタキシャルAlN基板を下地として用いてMOVPE法により成長を行った．この方法により，107cm-2台までAlGaNの転位密度の低減を可能にした．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 75 (4), 467-472, 2006-04-10
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845702287342848
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- NII論文ID
- 10017541097
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 7915331
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
