メタルゲート技術の最近の展望

DOI Web Site 被引用文献2件
  • 須黒 恭一
    (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター 半導体プロセス開発第四部
  • 中嶋 一明
    (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター 半導体プロセス開発第四部
  • 齋藤 友博
    (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター 半導体プロセス開発第四部
  • 松尾 浩司
    (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター 半導体プロセス開発第四部

書誌事項

タイトル別名
  • Recent prospect for metal gate technology
  • 最近の展望 メタルゲート技術の最近の展望
  • サイキン ノ テンボウ メタルゲート ギジュツ ノ サイキン ノ テンボウ

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抄録

<p>LSIの電源電圧の低下に伴い，ゲート絶縁膜厚が約1nm程度に近づいている．シリサイド／多結晶Si積層ゲート電極では，微細化に伴う熱予算の削減によってゲート電極側にSiO2換算膜厚で0.2〜0.5nmの空乏化層が形成される．この現象によりゲート絶縁膜が実効的に厚膜化する．メタルゲートはゲート空乏化層を形成しないため，実効的なゲート絶縁膜厚を薄膜化することが可能である．本稿では，ゲート電極開発の歴史と，最近のメタルゲート技術に関する筆者らの研究開発活動を中心に現状と課題をまとめた．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 74 (9), 1185-1191, 2005-09-10

    公益社団法人 応用物理学会

被引用文献 (2)*注記

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