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- 奥村 元
- 産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
書誌事項
- タイトル別名
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- Present status and future prospect of widegap semiconductor high-frequency devices
- ワイドギャップ ハンドウタイ コウシュウハ デンシ デバイス ケンキュウ ノ ゲンジョウ ト コンゴ ノ テンカイ
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抄録
<p>高出力高周波デバイスは,情報化社会のネットワーク基盤であるワイヤレス通信システムを支えるキーデバイスである.GaNやSiCなどを用いたワイドギャップ半導体電子デバイスは,その材料特性から高出力高周波デバイスとして大きな期待があり,本稿ではこれらワイドギャップ半導体高周波デバイスの応用分野,現在の開発現状,および今後の課題について解説する.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 73 (3), 315-326, 2004-03-10
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845702290661888
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- NII論文ID
- 10012702957
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 6875105
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可