書誌事項
- タイトル別名
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- Thermodynamic analysis of compound semiconductors by vapor phase epitaxy
- カゴウブツ ハンドウタイ キソウ セイチョウ ノ ネツリキガク
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抄録
<p>III-V族化合物半導体の気相成長(分子線成長法，有機金属気相成長法，ハイドライド気相成長法)における構成元素の固相への取り込みについて，熱力学の観点から述べる．二元化合物の成長の駆動力および三元や四元混晶における気相原料組成と固相組成の関係を実験値と比較し，議論する．その結果，成長速度および固相組成が熱力学的に解析できることを示す．熱力学的に予測される二元化合物の固相への取り込まれやすさの序列はすべての気相成長法で同様であり，また，この序列は気相成長の方法によらず，二元化合物に対するギブスの生成自由エネルギーに支配されている．</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 74 (5), 561-572, 2005-05-10
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845702290694528
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- NII論文ID
- 10015722452
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- NII書誌ID
- AN00026679
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL書誌ID
- 7351058
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可