噴水検出器による半導体pn接合のエネルギー分解二次電子像
書誌事項
- タイトル別名
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- Energy resolved secondary electron imaging of semiconductor pn junctions using fountain detector
説明
我々は、アウトレンズ型走査電顕（SEM）用低エネルギー二次電子検出器を開発し、噴水検出器と名づけた。これを用いてSiCのpn接合を観察し、0から2 eVの二次電子ではp領域が暗く、それ以上の高エネルギーでは明るくなることを見出した。この結果と、p,n領域のスペクトルを比較して、二次電子がバンドの曲がり分だけシフトしていることを確認した。この手法により、新しいSEM観察法が開拓されることを期待する。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 2018 (0), 10-, 2018
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390845713022380416
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- NII論文ID
- 130007519105
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
