噴水検出器による半導体pn接合のエネルギー分解二次電子像

書誌事項

タイトル別名
  • Energy resolved secondary electron imaging of semiconductor pn junctions using fountain detector

説明

我々は、アウトレンズ型走査電顕(SEM)用低エネルギー二次電子検出器を開発し、噴水検出器と名づけた。これを用いてSiCのpn接合を観察し、0から2 eVの二次電子ではp領域が暗く、それ以上の高エネルギーでは明るくなることを見出した。この結果と、p,n領域のスペクトルを比較して、二次電子がバンドの曲がり分だけシフトしていることを確認した。この手法により、新しいSEM観察法が開拓されることを期待する。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390845713022380416
  • NII論文ID
    130007519105
  • DOI
    10.14886/sssj2008.2018.0_10
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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