Observation of the cleaved surface of GaN by scanning tunneling microscopy

DOI

Bibliographic Information

Other Title
  • 窒化ガリウム劈開表面のSTM観察

Abstract

窒化ガリウム(GaN)はバンドギャップが約3.4eVのワイドギャップ半導体であり、 パワーデバイス用の新材料として注目されている。しかし、GaN基板中の原子レベルの欠陥についてはあまりよく理解されていない。本研究では、GaN基板の劈開表面(m面)のSTM観察を行い、第一原理計算による欠陥構造の解釈を試みた。

Journal

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390845713022397312
  • NII Article ID
    130007519249
  • DOI
    10.14886/sssj2008.2018.0_306
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

Report a problem

Back to top