Observation of the cleaved surface of GaN by scanning tunneling microscopy
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- Nakamura Tomonori
- NIMS
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- Ishida Nobuyuki
- NIMS
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- Sagisaka Keisuke
- NIMS
Bibliographic Information
- Other Title
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- 窒化ガリウム劈開表面のSTM観察
Abstract
窒化ガリウム(GaN)はバンドギャップが約3.4eVのワイドギャップ半導体であり、 パワーデバイス用の新材料として注目されている。しかし、GaN基板中の原子レベルの欠陥についてはあまりよく理解されていない。本研究では、GaN基板の劈開表面(m面)のSTM観察を行い、第一原理計算による欠陥構造の解釈を試みた。
Journal
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- Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
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Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 2018 (0), 306-, 2018
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390845713022397312
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- NII Article ID
- 130007519249
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed