酸窒化亜鉛を用いた薄膜トランジスタの特性改善
書誌事項
- タイトル別名
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- Improvement in Performance of Zinc Oxynitride Thin-Film Transistors
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説明
Si-doped zinc oxynitride (ZnON) thin-film transistors (TFTs) were fabricated using co-sputtering of Zn and Si targets. It was found that Si doping was effective at decreasing the carrier concentration in ZnON films. Furthermore, it was demonstrated that Si-doped ZnON-TFTs exhibited less negative threshold voltages than those of non-doped ZnON-TFTs.
収録刊行物
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- 映像情報メディア学会年次大会講演予稿集
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映像情報メディア学会年次大会講演予稿集 2017 (0), 31C-1-, 2017
一般社団法人 映像情報メディア学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390846609799063296
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- NII論文ID
- 130007789606
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- ISSN
- 24242292
- 13431846
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
