SiC MOSFETとパワー系IVH基板を用いた高密度モータ駆動用インバータ

佐藤 以久也, 田中 孝明, 堀 元人, 山田 隆二, 鳥羽 章夫, 久保田 寿夫

doi:10.1002/eej.23323

SiC MOSFETとパワー系IVH基板を用いた高密度モータ駆動用インバータ

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佐藤以久也

富士電機（株）
田中孝明

富士電機（株）
堀元人

富士電機（株）
山田隆二

富士電機（株）
鳥羽章夫

富士電機（株）
久保田寿夫

明治大学

書誌事項

タイトル別名

High Power Density Inverter Utilizing SiC MOSFET and Interstitial Via Hole PCB for Motor Drive System
SiC MOSFET トパワーケイ IVH キバンオモチイタコウミツドモータクドウヨウインバータ

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説明

<p>This paper proposes a high power density inverter utilizing SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) modules and an interstitial via hole (IVH) printed circuit board (PCB) for a motor drive system. The inverter also includes a power circuit, heatsink, cooling fan, gate drive circuit, and DC capacitors. The output power density of the proposed inverter is 81kW/L. The inverter outputs 37kW for motor drive applications. To achieve this superior output power density, this paper explains a prototype SiC MOSFET module without an antiparallel schottky barrier diode, and a unique multilayer laminate IVH PCB to connect the modules and DC capacitors. This paper describes the experimental results to verify the motor drive performance and the increase in temperature under the rated load operation.</p>