樹脂パッドと電界砥粒制御技術を適用した低ダメージ機械研磨技術の開発

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抄録

<p>SiC，サファイア基板等のダイヤモンドラッピング工程に着目し，高効率かつ形成される加工変質層深さを抑制可能とする新たな機械研磨技術を開発する．本報告では，第一に従来の金属製定盤を硬質ポリウレタン樹脂製のパッドに代替し，形成される加工変質層深さを約0.16倍に低減した．さらに，砥粒の配置制御技術である電界砥粒制御技術を導入し，最適電界印加条件について検討し，従来技術比1.5倍程度の良好な研磨レートを得た．</p>

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390848647555001856
  • NII論文ID
    130007896534
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2020s.0_138
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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