微小3次元構造アレイ作製におけるシリコン基板表面の結晶方位の影響
書誌事項
- タイトル別名
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- Effect of the crystal orientation of silicon substrates on the fabrication of three-dimensional microstructure
説明
<p>シリコン基材表面への微小な3次元構造体の作製手法として、除去加工であるエッチングが挙げられる。特に、特定の方向にのみ基材を除去する加工を異方性エッチングという。著者らはこれまでも、シリコン基材の異方性エッチングにより、シリコン基板表面へ、微小3次元構造体のアレイの作製を行ってきた。今回は、その3次元構造体アレイの作製において、シリコン基材の結晶方位が及ぼす影響等について検討した。</p>
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2020A (0), 491-492, 2020-08-20
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390850092194054528
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- NII論文ID
- 130007989053
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
