表面再構成制御成長法を用いたSi基板上InSb系超高速デバイスの作製と評価

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富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報, 平成22年度, 2010, Page 39-42

富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報 = University of Toyama, Organization for Promotion Regional Collaboration, Collabpration Division, Venture Business Laboratory VBL annual report

富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報 = University of Toyama, Organization for Promotion Regional Collaboration, Collabpration Division, Venture Business Laboratory VBL annual report 22 39-42, 2010

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