高効率RF増幅器向けGaN基板上GaN HEMTの開発

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タイトル別名
  • Development of GaN HEMTs on GaN Substrates for Highly Efficient RF Amplifiers

抄録

本論文では，高効率なGaN基板上GaN HEMTのデバイス開発と動作実証を行った．GaN基板の利用により結晶欠陥を大幅に低減し，電流コラプス現象が抑制できることを確認した．また，結晶成長前にウェットケミカル処理を施すことで，基板表面のコンタミを除去し，結晶成長後の基板/エピ界面のSi不純物を低減することに成功した．Si不純物の低減により寄生損失を抑制し，2.45 GHzにおいて効率82.8%と極めて高い値を達成した．これは，同周波数帯にて報告されている異種基板上GaN HEMTの効率と比較して高い値であり，GaN基板上GaN HEMTの優れたポテンシャルを示す結果であるといえる．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390853651515428224
  • DOI
    10.14923/transelej.2021jci0004
  • ISSN
    18810217
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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