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Si直上Y:HfO<sub>2</sub>エピタキシャル薄膜の界面誘電特性
DOI
佐保 勇樹
阪府大工
宝栄 周弥
阪府大工
高田 賢志
阪府大工
吉村 武
阪府大工
藤村 紀文
阪府大工
書誌事項
タイトル別名
Interfacial dielectric properties of Y:HfO<sub>2</sub> epitaxial thin films directly on Si substrate
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 (0), 896-896, 2020-08-26
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
10a-Z24-1
薄膜・表面
強誘電体薄膜
強誘電体・高誘電率薄膜
HfO2
エピタキシャル成長
界面準位
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390854882594769280
DOI
10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_896
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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