縦型p型GaN SBD を用いたショットキー障壁高さの評価

DOI

柴原啓太

東大生研
上野耕平

東大生研
小林篤

東大生研
藤岡洋

東大生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Characterization of p-type GaN Schottky barrier height using vertical SBD structures

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 3080-3080, 2020-02-28

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390855190120952960
DOI

10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3080
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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