RF-MBE法によるGaN及びAlNテンプレートへのGaN成長にV/III比が及ぼす影響

DOI

橘直純

工学院大
橋本真里

工学院大
山口智弘

工学院大
本田徹

工学院大
尾沼猛儀

工学院大

書誌事項

タイトル別名

Influences of V/III ratio for growth of GaN on AlN or GaN templates by RF-MBE

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 3047-3047, 2020-02-28

公益社団法人応用物理学会

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詳細情報詳細情報について

CRID

1390855190128862976
DOI

10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3047
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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