イオン注入もしくはエピによりp層形成した4H-SiC PiN構造における深い準位の評価

DOI

深谷周平

名工大
米澤喜幸

産総研
加藤智久

産総研
加藤正史

名工大

書誌事項

タイトル別名

Evaluation of deep levels in 4H-SiC PiN structure with a p layer formed by ion implantation or epitaxial growth

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 3171-3171, 2020-02-28

公益社団法人応用物理学会

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詳細情報詳細情報について

CRID

1390855190128908416
DOI

10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3171
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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