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GaAsSb/GaAs 量子ドット形成における成長速度の影響
DOI
樗木 悠亮
東大先端研
東大院工
庄司 靖
産総研
宮下 直也
東大先端研
岡田 至崇
東大先端研
東大院工
書誌事項
タイトル別名
Growth rate dependency of GaAsSb / GaAs Quantum Dots
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 3430-3430, 2019-09-04
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
18p-B31-9
結晶工学
III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
量子構造
量子ドット
ガリウムアンチモン
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390855765222480512
DOI
10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3430
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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