Ⅳ族結晶配向層を用いたガラス基板上への窒化物半導体成長

DOI

小林篤

東大生研
中野はるか

東大生研
上野耕平

東大生研
藤岡洋

東大生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Growth of group-III nitrides on glass substrates using group-IV orientation layers

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 3539-3539, 2019-09-04

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390855765238499968
DOI

10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3539
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

書き出し

問題の指摘

ページトップへ