HAXPESによる結晶シリコンヘテロ接合型太陽電池の課題解明

DOI Web Site 参考文献26件
  • 西原 達平
    明治大学　理工学部 日本学術振興会特別研究員 DC2
  • 原 知彦
    豊田工業大学
  • 築紫 大河
    明治大学　理工学部
  • 大下 祥雄
    豊田工業大学 明治大学再生可能エネルギー研究インスティテュート
  • 小椋 厚志
    明治大学　理工学部 明治大学再生可能エネルギー研究インスティテュート

書誌事項

タイトル別名
  • Investigation of Problems in Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells by HAXPES

抄録

<p>We investigate the factors that degrade the conversion efficiency in the crystalline silicon heterojunction (SHJ) solar cell using hard X-ray photoelectron spectroscopy (HAXPES) and the potential of new materials for the carrier selective contact (CSC). Regarding the emerging transparent conductive oxide film (TCO) used in the SHJ solar cell, the hydrogenated indium oxide (IO:H) with high carrier mobility forms an oxide layer at the IO:H/substrate interface revealed by the evaluation of chemical bonding states by HAXPES, resulting in increasing the contact resistance. Moreover, the IO:H is reduced from the catalyst in the silver electrode paste, and silver oxide tends to form at the electrode/IO:H interface. In addition, the role of MoS2, a two-dimensional layered material, as a CSC layer was investigated, found that and MoS2 layer works as an electron selective layer for n-type Si substrate using angle-resolved HAPXES band bending evaluation.</p>

収録刊行物

  • 表面と真空

    表面と真空 65 (8), 361-366, 2022-08-10

    公益社団法人 日本表面真空学会

参考文献 (26)*注記

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