PSD法により形成したGaN薄膜の深い準位の評価

DOI

柴原啓太

東大生研
上野耕平

東大生研
小林篤

東大生研
藤岡洋

東大生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Growth and characterization of high electron mobility n-type GaN prepared by PSD

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 3253-3253, 2018-09-05

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390856384292085760
DOI

10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3253
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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