p型GaNコンタクト層に形成した高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率改善
書誌事項
- タイトル別名
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- Improvement of EQE in AlGaN deep-UV LED fabricating highly-reflective PhC on p-GaN contact layer
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3587-3587, 2018-03-05
公益社団法人 応用物理学会
