SiC単一テラス上のグラフェン成長

DOI

関根佳明

NTT物性基礎研
寺谷仁志

NTT物性基礎研
日比野浩樹

NTT物性基礎研関西学院大理工
谷保芳孝

NTT物性基礎研

書誌事項

タイトル別名

Growth of Graphene on a Single SiC Terrace

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3912-3912, 2018-03-05

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390856605463022336
DOI

10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3912
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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