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【2023年10月31日掲載】CiNii Dissertations及びCiNii BooksのCiNii Researchへの統合について
新「国立国会図書館サーチ」公開によるCiNiiサービスへの影響について
FZ法によるβ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>単結晶の高品質化
DOI
伊藤 利充
産総研
尾崎 康子
産総研
富岡 泰秀
産総研
渡邊 幸志
産総研
書誌事項
タイトル別名
Growth of high-quality single crystals of β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> by FZ method
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 4109-4109, 2018-03-05
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
20a-E201-5
合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
新機能材料・新技術開発
β-Ga2O3
ワイドギャップ半導体
結晶成長
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390856605463192704
DOI
10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_4109
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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