窒化物半導体成長メカニズムの熱力学的考察

DOI

関口一樹

名大院工
白川裕規

名大院工
長川健太

名大院工
洗平昌晃

名大院工名大未来研
寒川義裕

九大応力研
柿本浩一

九大応力研
白石賢二

名大院工名大未来研

書誌事項

タイトル別名

Thermodynamic Consideration of Nitride Semiconductor Growth Mechanism

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.2 (0), 3160-3160, 2016-09-01

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390858131658882944
DOI

10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3160
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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