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AlGaN/GaN HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散の温度依存性
DOI
成田 知隆
名工大
片山 雄貴
名工大
為末 圭一
名工大
分島 彰男
名工大
江川 孝志
名工大
書誌事項
タイトル別名
Temperature dependence on frequency dispersion of drain conductance in AlGaN/GaN HEMT
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 (0), 2827-2827, 2015-08-31
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
14p-PB2-20
半導体
化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価
窒化ガリウム
高電子移動度トランジスタ
周波数分散
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390858773325982208
DOI
10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2827
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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