PSD法により成長したp型GaNに対する接触抵抗の評価

DOI

野口英成

東大生研
荒川靖章

東大生研
上野耕平

東大生研
太田実雄

東大生研
藤岡洋

東大生研 JST-CREST JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Characteristic of contact resistivity on p-type GaN grown by pulsed sputtering

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.1 (0), 3296-3296, 2015-02-26

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390859016478290304
DOI

10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3296
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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