電気化学機械研磨によるSiCの高能率スラリーレス加工法の開発（第10報）

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  • パルス幅変調電圧の印加により４H-SiC(0001)の研磨レートの向上

Abstract

<p>SiCは優れた電気特性を有するため，パワーデバイス半導体材料として注目されている.我々はSiCに対する高能率研磨法としてスラリーレス電気化学機械研磨法（ECMP）を開発している.本報では、パルス幅変調電圧を用いたECMPにおける4H-SiC（0001）の研磨特性を調査した.パルス波電圧の周波数の最適化により,従来の一定電圧を連続的に印加した場合と比較して,材料除去速度が1.35倍向上した.</p>

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