Development of the short-time alternation processing plasma fusion CMP equipment and evaluation of processing characteristics to GaN and SiC substrates

DOI

Bibliographic Information

Other Title
  • 短時間交互加工型プラズマCMP装置の開発とSiC・GaN基板に対する加工特性の評価

Abstract

<p>難加工材料である次世代半導体SiC・GaN基板に対して化学機械研磨（CMP）の高効率化のためのプラズマCMP加工を検討した。プラズマ照射とCMPの短時間加工交互基礎型装置を開発し、GaNおよびSiC基板に対しHeプラズマCMPを行った。通常CMP加工効率と比較して約5倍の加工効率を得られた。HeからArに変更した場合でも同程度の加工効率向上を確認した。</p>

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

Report a problem

Back to top