ガラス上シリサイド半導体を用いた高効率太陽電池の開発

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タイトル別名
  • Towards high-efficiency solar cells using semiconducting silicide on glass substrate

抄録

<p>半導体BaSi2は資源が豊富な元素で構成される禁制帯幅が約1.3eVの間接遷移型半導体である．光吸収係数がCuInSe2系の薄膜太陽電池用半導体と同様に大きく，13族および15族元素のドーピングにより，伝導型およびキャリヤ密度の制御が可能である．これまで培ってきたSi基板上のエピタキシャル膜で得られた知見を生かし，ガラス基板上の薄膜太陽電池への取り組みを紹介する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 92 (11), 668-672, 2023-11-01

    公益社団法人 応用物理学会

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390860929792072064
  • DOI
    10.11470/oubutsu.92.11_668
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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