ガラス上シリサイド半導体を用いた高効率太陽電池の開発
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- 末益 崇
- 筑波大学 数理物質系・物理工学域
書誌事項
- タイトル別名
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- Towards high-efficiency solar cells using semiconducting silicide on glass substrate
抄録
<p>半導体BaSi2は資源が豊富な元素で構成される禁制帯幅が約1.3eVの間接遷移型半導体である.光吸収係数がCuInSe2系の薄膜太陽電池用半導体と同様に大きく,13族および15族元素のドーピングにより,伝導型およびキャリヤ密度の制御が可能である.これまで培ってきたSi基板上のエピタキシャル膜で得られた知見を生かし,ガラス基板上の薄膜太陽電池への取り組みを紹介する.</p>
収録刊行物
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- 応用物理
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応用物理 92 (11), 668-672, 2023-11-01
公益社団法人 応用物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390860929792072064
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可