イオン液体を吸着したSiC再構成表面における電子状態の観測
書誌事項
- タイトル別名
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- Observation of electronic structure at ionic liquid adsorbed SiC reconstructed surface
抄録
<p>ワイドギャップ半導体である炭化ケイ素(SiC)は、絶縁破壊電圧や熱伝導率において優れた特徴を持つ。また、SiC結晶はグラフェンなどの幾つかの再構成表面を形成する。イオン液体は、優れたイオン伝導性や熱的・化学的安定性や不揮発性といった特徴を持つ。本発表では、SiC基板表面上にグラフェンを形成し、その表面にイオン液体を蒸着し、蒸着量の変化に伴うイオン液体分子の振舞を最表面の電子状態から調査した。</p>
収録刊行物
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- 日本表面真空学会学術講演会要旨集
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日本表面真空学会学術講演会要旨集 2020 (0), 44-, 2020
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1391412881268941056
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- NII論文ID
- 130007959524
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- ISSN
- 24348589
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可