高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO₂/GaN界面制御
書誌事項
- タイトル別名
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- コウセイノウ GaN MOSFET ジツゲン ニ ムケタ SiO ₂/GaN カイメン セイギョ
- Control of SiO₂/GaN Interface for High-performance GaN MOSFET
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118 (110), 11-14, 2018-06-25
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407094213120
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- NII論文ID
- 40021586211
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- NII書誌ID
- AN10013254
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 029084532
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDLサーチ
- CiNii Articles