書誌事項
- タイトル別名
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- 酸化ガリウムをパワー素子に SiCよりも安く、高性能に
- サンカ ガリウム オ パワー ソシ ニ SiC ヨリ モ ヤスク 、 コウセイノウ ニ
- 酸化ガリウムをパワー素子に SiCよりも安く、高性能に
- Replacing SiC with Gallium Oxide to Achieve Cheaper and Higher-Performance Power Devices
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抄録
SiCとGaNよりも、高耐圧で低損失なパワー半導体素子を安価に作製できる可能性があるとして、β型Ga2O3に注目が集まっている。きっかけとなったのが、情報通信研究機構などの研究グループが開発したトランジスタである。今回、研究グループの技術者に、β型Ga2O3の特徴や研究開発の成果、そして今後の展開について解説してもらう。
収録刊行物
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- 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation
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日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1079), 81-89, 2012-04-02
東京 : 日経BP
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407141984640
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- NII論文ID
- 40019204275
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- NII書誌ID
- AN0018467X
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- ISSN
- 03851680
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- NDL書誌ID
- 023532971
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- Nikkei BP
- CiNii Articles