GaN dry etching process for quantum nanostructure formation
Bibliographic Information
- Other Title
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- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 101 (618), 19-26, 2002-01-29
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407257082880
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- NII Article ID
- 110003201536
- 110003310982
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- en
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles
