位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討
Bibliographic Information
- Other Title
-
- イソウ ヘンチョウ キヨウ InGaAs InAlAs5ソウ ヒタイショウ ケツゴウ リョウシ イド ノ ヒズミ ドウニュウ ニ ヨル トクセイ カイゼン ノ リロン ケントウ
- Theoretical analysis of property improvement of InGaAs/InAlAs five-layer asymmetric coupled quantum well for phase modulator by strain application
- 機構デバイス
- キコウ デバイス
Search this article
Journal
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (178), 71-74, 2010-08
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
Keywords
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1520009407338091392
-
- NII Article ID
- 110008094829
- 110008095238
- 110008095159
- 110008095275
-
- NII Book ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- Web Site
- http://id.ndl.go.jp/bib/10817753
- https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10817753
- http://id.ndl.go.jp/bib/10817326
- https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10817326
- http://id.ndl.go.jp/bib/10816686
- https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10816686
- http://id.ndl.go.jp/bib/10817564
- https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10817564
-
- Text Lang
- ja
-
- NDL Source Classification
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- Data Source
-
- NDL
- CiNii Articles