抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果
Bibliographic Information
- Other Title
-
- テイコウ ヘンカガタ フキハツセイ メモリヨウ NiO ハクマク ノ コウゾウ オヨビ デンキ トクセイ エノ アニール コウカ
- Effects of annealing on the structures and electrical characteristics of NiO thin films for ReRAM
- シリコン材料・デバイス
- シリコン ザイリョウ デバイス
Search this article
Journal
-
- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108 (335), 1-4, 2008-12-05
東京 : 電子情報通信学会
- Tweet
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1520009407433615872
-
- NII Article ID
- 110007114199
-
- NII Book ID
- AA1123312X
-
- ISSN
- 09135685
-
- NDL BIB ID
- 9762470
-
- Text Lang
- ja
-
- NDL Source Classification
-
- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
-
- Data Source
-
- NDL
- CiNii Articles