Bibliographic Information
- Other Title
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- ヒズミ セイギョ AlGaInN バリアソウ オ ソナエタ タイアツ 2.5kVキュウ AlGaN チャネル HFET
- A 2.5-kV-breakdown-voltage AlGaN-channel HFET with a strain-controlled AlGaInN barrier layer
- 電子部品・材料
- デンシ ブヒン ・ ザイリョウ
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Journal
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118 (331), 41-44, 2018-11
東京 : 電子情報通信学会
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407438389760
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- NII Article ID
- 40021746969
- 40021747386
- 40021747507
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- NII Book ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- Text Lang
- ja
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- NDL Source Classification
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- Data Source
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- NDL Search
- CiNii Articles