書誌事項
- タイトル別名
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- 技術・事業の最前線 Siは高温対応と300mm化 新型はコスト削減が急務に
- ギジュツ ・ ジギョウ ノ サイゼンセン Si ワ コウオン タイオウ ト 300mmカ シンガタ ワ コスト サクゲン ガ キュウム ニ
- 技術・事業の最前線 Siは高温対応と300mm化 新型はコスト削減が急務に
- Breakthrough 特集 強いSiに勝てるか : SiC/GaN/GaOの今
- Breakthrough トクシュウ ツヨイ Si ニ カテル カ : SiC/GaN/GaO ノ イマ
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抄録
東芝デバイス＆ストレージは、耐圧900VまでのSi-MOSFETと600〜6.5kVのSi-IGBTをパワー半導体の主力事業としており、さらに650V以上のSiCを強化している。Si-IGBTのモジュール事業は2004年に三菱電機に譲渡したものの半導体を社内の応用機器向けに提供するとともに外販もし…
収録刊行物
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- 日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation
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日経エレクトロニクス = Nikkei electronics : sources of innovation (1208), 33-42, 2019-10
東京 : 日経BP
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407456181632
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- NII論文ID
- 40022026722
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- NII書誌ID
- AN0018467X
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- ISSN
- 03851680
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- NDL書誌ID
- 029993262
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- Nikkei BP
- CiNii Articles