招待講演 基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察
書誌事項
- タイトル別名
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- ショウタイ コウエン キバン カラ ミタ Ge n-MOSFETs ニ オケル デンシ イドウド ノ コウサツ
- Reconsideration of Electron Mobility in Ge n-MOSFETs from Ge Substrate Side
- シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
- シリコン ザイリョウ ・ デバイス センタン CMOS デバイス ・ プロセス ギジュツ(IEDM トクシュウ)
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (420), 5-8, 2014-01-29
東京 : 電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1520009407798572160
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- NII論文ID
- 110009825257
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- NII書誌ID
- AA1123312X
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- ISSN
- 09135685
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- NDL書誌ID
- 025278493
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- 本文言語コード
- ja
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- NDL 雑誌分類
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- ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles